SIC-Siliziumkarbid-Außen- und Liner-Quarzrohr

SIC-Siliziumkarbid-Außen- und Liner-Quarzrohr

SIC-Quarzrohr wird häufig in Kristallwachstumsöfen verwendet, z. B. 8-12--Zoll-Silizium-Einkristallöfen in Halbleiterqualität, 6-8--Zoll-Siliziumkarbid, Galliumarsenid und anderen Halbleitermaterialien für Langkristallgeräte und -prozesse.
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Beschreibung

I.Bewerbung

SIC-Quarzrohr wird häufig in Kristallwachstumsöfen verwendet, z. B. 8-12--Zoll-Silizium-Einkristallöfen in Halbleiterqualität, 6-8--Zoll-Siliziumkarbid, Galliumarsenid und anderen Halbleitermaterialien für Langkristallgeräte und -prozesse.

 

II. Eigenschaften

SIC-Außen- und Auskleidungsquarzrohre zeichnen sich durch hohe Reinheit und hohe Temperaturbeständigkeit usw. aus. Die Außendurchmessertoleranz wird streng bearbeitet, um die Montageanforderungen zu erfüllen.

 

III. Code

PQ181E, PQ181E H, PQ181E-R, PQ181EH-R

 

IV.Spezifikationen

OD-Bereich

OD-Toleranz

WT-Toleranz

Gleiten

Ovalität

Bogen

OD<100.00

±1.00

±10,00 Prozent

15,00 Prozent

1,00 Prozent

0.10 Prozent

100.00 Kleiner oder gleich OD<200,00

±1.00

±10,00 Prozent

15,00 Prozent

1,00 Prozent

0.10 Prozent

200.00 Weniger als oder gleich OD<300,00

±1.00

±10,00 Prozent

15,00 Prozent

1,00 Prozent

0.10 Prozent

300.00 Weniger als oder gleich OD<400,00

±1.00

±10,00 Prozent

15,00 Prozent

1,00 Prozent

0.10 Prozent

400.00 Weniger als oder gleich OD<500,00

±1.00

±10,00 Prozent

15,00 Prozent

1,00 Prozent

0.10 Prozent

500.00 Weniger als oder gleich OD<900,00

±2.00

±10,00 Prozent

15,00 Prozent

1,00 Prozent

0.10 Prozent

 

 

V.Physikochemischen Eigenschaften

i.SpurenelementeEinheit: ppm

Code

Kriterien

Al

Ca

Kr

Cu

Fe

K

Li

mg

Mn

N / A

Ti

Zr

PQ181E

PQ181E-R

Typisch

13

0.5

<0.05

<0.05

0.1

0.1

0.3

0.05

0.05

0.1

1.3

1

Maximal

19

1

0.1

0.1

0.5

1

1

0.2

0.2

1

2

2

PQ181EH

PQ181EH-R

Typisch

8

0.6

<0.05

<0.01

0.1

0.1

0.2

0.05

0.05

0.1

1.3

1

Maximal

10

1

0.1

<0.01

0.5

0.5

0.5

0.2

0.2

0.5

2

2

Hinweis: PQ181E-R/PQ181EH-R ist eine in der Größe angepasste Röhre in Halbleiterqualität.

 

II. OH-Inhalt

PQ181E/ PQ181EH

OH<10ppm

PQ181E-R/ PQ181EH-R

OH<30ppm

 

iii. Physikalische Eigenschaften

Artikel

Indexwert

Dichte (g/cm3

2.2

Wärmeleitfähigkeit (w/m·k, 1000 Grad)

2.28

Wärmeausdehnungskoeffizient (Grad-1,1000 Grad )

5.5×10-7

Erweichungspunkt (Grad)

1670

Glühpunkt (Grad)

1210

Spannungspunkt (Grad)

1110

 

iv. Wärmeausdehnungskoeffizient und Viskosität

 

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UNSER HAUPTPRODUKT

product-734-205

 

HAUPTSÄCHLICHANWENDUNG

product-761-324

CUNTERNEHMENSVORTEIL

product-815-200

□ Die Reinheit von SiO2 kann bis zu 99,995-99,999 Prozent erreichen

□ Weltweit führender Produktionsprozess und Ausrüstung;

□ Kundenorientiertes Denken

□ Anwendung in Beleuchtung, Solar, Optik, Glasfaser, Halbleiter usw.

□ Modernste Schmelztechnologie

□ Weltberühmte Marke

 

CNAS-ZERTIFIZIERTES LABOR

 

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product-709-161

 

HAUPTEINRICHTUNGEN DER PRODUKTION

product-808-285

product-829-168

 

product-800-730

 

FAQ:

 

Q1.Wo befindet sich Ihre Fabrik?

A: In Dongahi, Lianyungang, Provinz Jiangsu, China.

Q2.Wie lange ist die Geschichte Ihrer Fabrik?

A: Es wurde 1992 mit 30 Jahren Geschichte gegründet.

Q3. Was ist Ihr Hauptmarkt?

A: Europa, Nordamerika, Japan, Südkorea usw.

Q4.Wie viele Arbeiter in Ihrer Fabrik?

A: 1000 Arbeiter.

Q5. Ist es in Ordnung, mein Logo auf ein Quartz-Produkt zu drucken?

A: Ja. Bitte informieren Sie uns vor unserer Produktion formell und bestätigen Sie das Design zunächst anhand unseres Musters.

Q6: Bieten Sie Garantie für die Produkte an?

A: Ja, wir bieten 1 Jahr Garantie auf unsere Produkte.

Q7: Kann ich Ihre Fabrik besichtigen?

A: Auf jeden Fall heißen wir Ihre Ankunft herzlich willkommen. Bevor Sie Ihr Land verlassen, teilen Sie uns dies bitte mit. Wir weisen Ihnen den Weg und vereinbaren nach Möglichkeit einen Abholtermin.

 

Kundenbesuch & Ausstellungsmoment:

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Beliebte label: Sic-Siliziumkarbid-Außen- und Liner-Quarzrohr, China, Lieferanten, Hersteller, Fabrik, kundenspezifisch, Großhandel

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